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意法半導體針對高能效功率變換應用,推出新的45W和150W MasterGaN產品

中國,2021 年 8 月 27 日——為了更方便的轉型到高能效的寬禁帶半導體技術,意法半導體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝,分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應用。意法半導體的 MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術替代普通硅基MOSFET的發(fā)展進程。新產品集成兩個 650V 功率晶體管與優(yōu)化的高壓柵極驅動器和相關的安全保護電路,消除了柵極驅動器和電路布局設計挑戰(zhàn)。因為 GaN 晶體管可以實現(xiàn)更高的開關頻率,新的集成功率系統(tǒng)封裝可使電源尺寸比基于硅的設計縮小 80%,并且具有很高的穩(wěn)健性和可靠性。
MasterGaN3 的兩個 GaN 功率晶體管的導通電阻值 (Rds(on))不相等,分別為 225mΩ 和 450mΩ ,使其適用于軟開關和有源整流變換器。在 MasterGaN5 中,兩個晶體管的導通電阻值 (Rds(on))都是450mΩ,適用于 LLC 諧振和有源鉗位反激變換器等拓撲。
與MasterGaN產品家族的其他成員一樣,這兩款器件都有兼容3.3V 至 15V 邏輯信號的輸入,從而簡化了產品本身與 DSP處理器、FPGA 或微控制器等主控制器和霍爾傳感器等外部設備的連接。新產品還集成了安全保護功能,包括高低邊欠壓鎖定 (UVLO)、柵極驅動器互鎖、過熱保護和關斷引腳。
每款MasterGaN產品都有一個配套的專用原型開發(fā)板,幫助設計人員快速啟動新的電源項目。 EVALMASTERGAN3 和 EVALMASTERGAN5開發(fā)板都包含一個單端或互補驅動信號發(fā)生器電路。板載一個可調的死區(qū)時間發(fā)生器,以及相關的設備接口,方便用戶采用不同的輸入信號或 PWM 信號,連接一個外部自舉二極管來改進容性負載,為峰流式拓撲插入一個低邊檢流電阻。
MasterGaN3 和 MasterGaN5 現(xiàn)已量產,采用針對高壓應用優(yōu)化的9mm x 9mm GQFN 封裝,高低壓焊盤間爬電距離為 2mm。
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